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三星电子率先量产40纳米DDR3 Dram
chinacir.com.cn   2009年7月23日      文字大小:[ ]  收藏本页
      2009年7月21日三星电子宣布已经开始量产40纳米2Gb DDR3 Dram。这是该级别产品全世界首次进入量产。同时该产品比去年九月量产的50纳米产品拥有更高的量产性。 

  据悉,继2008年9月三星电子在业内首次量产50纳米DDR3 Dram之后,该公司又于2009年1月首次开发出40纳米2Gb DDR3 Dram并于本月首次投入量产。三星电子通过不断简化生产工艺缩短生产时间,极大地提高了生产效率和成本竞争力。 

  三星电子表示,新一代量产的40纳米产品拥有更高的科技水平和环保型解决方案从而将获得比50纳米产品更高的市场评价。同时为了进一步扩展DDR3内存的市场,三星电子今后将针对区域服务器(16G或8G内存)、小型服务器及个人台式机(4G内存)、笔记本电脑(4G内存)等提供更高效的内存产品。 

  半导体市场调查机构I supply提供的数据表明DDR3产品将从目前占整体Dram市场的20%增长到2012年的82%。2G DDR3产品将从目前占整体DDR3市场的5%发展到2012年82%。而作为以生产Dram产品著称的全球第二大半导体厂商,三星电子正是依靠在业内不断率先开发新一代更高容量和性能的Dram产品,确保了其在内存市场的主导地位。

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