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瑞萨推出高速SRAM产品,针对路由器和交换机使用
chinacir.com.cn   2009年7月22日      文字大小:[ ]  收藏本页

      瑞萨科技公司(Renesas)在2009年7月7日宣布推出面向新一代通信网络内高端路由器和交换机使用的高速SRAM产品系列。这些SRAM产品不仅符合QDR联盟行业标准要求,还实现了72Mb四倍数据速率II+(QDRTM II+)和双数据速率II+(DDR II+)的业内最高工作速度,并且包含72Mb QDRII和DDRII SRAM器件。整个器件系列(具有多种速度和配置)将于2009年8月在日本开始陆续进行销售。 
      新产品特性如下: 
     (1)业内最高的工作速度:533 MHz(QDRII+和DDRII+SRAM)和333 MHz(QDRII和DDRII版); 
     瑞萨大幅提高了新产品的工作速度,同时还通过利用先进的45nm生产工艺而保持了低压操作。QDRII SRAM产品实现了业内最高的工作速度——333 MHz,QDRII+ SRAM产品也达到了业内最高的工作速度——533 MHz。这些器件可以支持高端路由器与交换机(其支持10G、40G和容量更大的多层通信系统)内的分组查找和包缓冲器应用所需的高速处理。 
     (2)大量72Mb器件; 
     瑞萨将为3种数据I/O宽度(9、18或36位)和2种突发长度(2或4字)的产品提供支持。此外,瑞萨还提供具有内置式ODT(晶片上终端电阻)功能的产品,极大地降低了高速操作过程中可能发生的信号质量下降。瑞萨丰富的QDRII、DDR II、QDRII+和DDRII+ SRAM产品系列使得用户能够选择最符合其系统要求的解决方案。 
     新产品均提供所有突发长度和位宽度组合,并且标准HSTL(高速晶体管逻辑)接口用于超高速同步SRAM. 
     新产品采用165-引脚塑料FBGA封装,尺寸为15 mm × 17 mm,具有出色的散热特性,适于大密度安装。这些产品符合RoHS指令*4的要求,还提供无铅版本。QDR引脚配置支持将来向高达288Mb的密度无缝移植。并且,采用FBGA封装的产品支持IEEE标准测试存取端口和边界扫描架构(IEEE标准1149.1-1990),能够在板级模块安装过程中实现交叉连接检查。 
     对于将来该领域的开发,瑞萨制定了长远的发展规划,并致力于开发容量更大、性能更高的QDR/DDR SRAM产品以支持不断变化的用户需求。